近紅外光譜 “力挺”半導(dǎo)體行業(yè)
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什么是半導(dǎo)體 半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。 半導(dǎo)體按照制造技術(shù)可以分為:集成電路器件、分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類(lèi)。 什么是芯片 芯片,又稱(chēng)微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(integrated circuit, IC)。是指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。
注:CMP即化學(xué)機(jī)械拋光
光刻是將圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體硅片表面的光刻膠上的過(guò)程。這些圖形必須再轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的各薄層上,這一工藝過(guò)程我們稱(chēng)之為刻蝕,即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽地部分。
刻蝕有兩種基本方法:濕法化學(xué)刻蝕和干法刻蝕。 濕法化學(xué)刻蝕的機(jī)理主要包括三個(gè)階段:反應(yīng)物通過(guò)擴(kuò)散到反應(yīng)物表面,化學(xué)反應(yīng)在表面上進(jìn)行,然后通過(guò)擴(kuò)散將反應(yīng)生成物從表面移除。濕法化學(xué)刻蝕較為適用于多晶硅、氧化物、氮化物、金屬和Ⅲ-Ⅴ族化合物地表面刻蝕。 近紅外光譜技術(shù)因其以下*的優(yōu)勢(shì)在半導(dǎo)體行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。
? 應(yīng)用案例一:使用近紅外光譜儀測(cè)定混酸刻蝕液 分別選用1mm和4mm光程的比色皿測(cè)得譜圖如下,通過(guò)觀(guān)察光譜可以發(fā)現(xiàn)從1900nm開(kāi)始4mm光程的比色皿光譜噪聲開(kāi)始增加,因此我們選用1mm光程比色皿進(jìn)行測(cè)定。 通過(guò)Vision軟件建模,并測(cè)定的混酸刻蝕液各組分含量與實(shí)驗(yàn)室常規(guī)方法分析的數(shù)值如下表所示,可以看到近紅外的預(yù)測(cè)結(jié)果與實(shí)驗(yàn)室方法基本一致,誤差很小。
? 應(yīng)用案例二:使用在線(xiàn)近紅外光譜儀測(cè)定清洗液 如下圖為使用瑞士萬(wàn)通在線(xiàn)近紅外光譜儀連續(xù)監(jiān)控客戶(hù)的SC1清洗液狀態(tài)。我們可以看到隨著清洗液的消耗,NH4OH的含量逐漸降低,客戶(hù)可以根據(jù)監(jiān)控的情況操作清洗流程。
? 應(yīng)用案例三:使用在線(xiàn)近紅外光譜儀動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)IPA異丙醇 IPA異丙醇作為清洗去除劑,在清洗的過(guò)程中會(huì)有雜質(zhì)混入該溶劑。它的近紅外光譜如下圖,在1900~2000nm波長(zhǎng)范圍內(nèi),明顯可見(jiàn)雜質(zhì)EKC-265對(duì)譜圖的影響。 我們利用該波段建立EKC-265的近紅外模型,可以看到模型的R2達(dá)9.9989,SEC為0.0629。利用該模型我們就可以即可監(jiān)控異丙醇中的雜質(zhì)含量的變化。
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